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墨海拾贝 -宽禁带半导体微结构与光电器件光学表征 西安电子科技大学出版社

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宽禁带半导体微结构与光电器件光学表征 西安电子科技大学出版社书籍详细信息

  • ISBN：9787560664293
  • 作者：暂无作者
  • 出版社：暂无出版社
  • 出版时间：2022-08
  • 页数：暂无页数
  • 价格：81.90
  • 纸张：胶版纸
  • 装帧：精装
  • 开本：16开
  • 语言：未知
  • 丛书：暂无丛书
  • TAG：暂无
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内容简介：

本书以宽禁带半导体微结构与光电器件光学表征为主线，按照“面向宽禁带半导体前沿课题，注重优选光电器件与材料微结构的基础性质和过程进行光学表征，以提升宽禁带半导体光电子器件性能为目的”的原则安排全书内容，从应用基础研究和研发优选光电子器件的角度出发，组织全国在该领域前沿进行一线科研工作的学者进行编写，力争用通俗易懂的语言，由浅入深，系统、详细地介绍宽禁带半导体光电器件的微纳结构生长、掺杂、受激辐射特性、量子效率测量，以及宽禁带半导体在紫外探测、微尺寸LED、高效太阳能电池等领域的应用，突出前沿和瓶颈问题。

本书可作为高等学校半导体光电子类相关专业高年级本科生和研究生的教材或教学参考书，也可作为相关科研工作者的学习参考书。

书籍目录：

第1章宽禁带半导体激光器技术与表征

1.1引言

1.2MOCVD技术简介

1.3GaN材料的MOCVD生长与表征

1.4GaN材料的p型掺杂与表征

1.5InGaN量子阱的生长与表征

1.6器件工艺与表征

1.7本章小结

参考文献

第2章Si衬底GaN基激光器生长制备与测试表征

2.1引言

2.2Si衬底GaN基激光器材料生长与测试表征

2.2.1Si衬底GaN基激光器材料外延生长中的关键挑战

2.2.2Si衬底高质量GaN薄膜材料的测试表征

2.2.3Si衬底GaN基激光器的应力状态及结构缺陷表征

……

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  • 主题深度：6分

  • 文字风格：8分

  • 语言运用：4分

  • 文笔流畅：3分

  • 思想传递：7分

  • 知识深度：3分

  • 知识广度：6分

  • 实用性：8分

  • 章节划分：6分

  • 结构布局：5分

  • 新颖与独特：6分

  • 情感共鸣：7分

  • 引人入胜：6分

  • 现实相关：9分

  • 沉浸感：5分

  • 事实准确性：8分

  • 文化贡献：3分

网站评分

  • 书籍多样性：5分

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  • 网站更新速度：4分

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ISBN：9787560664293
出版社：暂无出版社
出版日期：2022-08
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